相比于可能留下难以在不损坏底层聚合物的情况下去除的有机残留物的直接接触胶带,物理外壳配以严格的湿度和静电放电(ESD)控制被列为首选 [P2]。
在完成键合焊盘(bond pad)阻挡层刻蚀、去胶以及最终晶圆检测后,40nm BSI CMOS 图像传感器达到 FABOUT 步骤(工程实践)。该模块代表了前段工艺和后段工艺(BEOL)处理的最终完成,标志着完全集成的晶圆从半导体制造工厂向封装、测试和组装环境的过渡 [A2]。前序的最终检测旨在验证最终钝化层的结构完整性以及裸露键合焊盘的清洁度 [T1]。
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