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ILD 5-2 氧化物刻蚀步骤是一项关键的后段工艺（BEOL），旨在将 Via 5 (V5) 图案从光刻胶转移到大块层间介质层中 [P4]。与前段工艺（FEOL）隔离中使用的浅层“衬垫氧化物刻蚀”或薄的“氧化物硬掩模刻蚀”步骤不同，该工艺需要通过厚介质层进行深槽、高深宽比刻蚀，以连接相邻的金属互连线 [A1]。刻蚀必须高选择性地去除大块 SiO₂ 或低 k 介质，并精确地停留在下方的 ILD 5-1 SiCN 刻蚀停止层上 [A1]。