40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

VIA 5 - 光刻定义了双大马士革后段工艺（BEOL）堆栈中连接 Metal 5 和 Metal 6 的垂直互连 [T1]。紧随 ILD 5-1 和 ILD 5-2 沉积及光刻前清洗之后，此步骤在图形转移至下层介质层之前，在空间上定义了接触孔开口 [A2]。这些通孔的精确位置对于在图像传感器架构内建立信号和电源路由的低电阻电气连接至关重要 （工程实践）。