要避免使用强酸性或高氧化性的清洗剂,因为它们会消耗多孔低k薄膜中的碳或甲基,导致吸潮并进而引发机械或电气故障 [P4]。
ILD5模块中的光刻前清洗(Pre Litho Cleaning)步骤,是紧接在Via 5光刻之前的关键表面准备阶段(工程实践)。在完成ILD 5-1和ILD 5-2的双层沉积后,必须对晶圆表面进行细致的处理,以便承载后续图案化工艺所需的抗反射涂层(ARC)和光刻胶层 [A2]。与前段工艺(FEOL)中可能与裸硅或有源晶体管区域发生相互作用的光刻前清洗步骤不同 [T1],该特定步骤完全在后段工艺(BEOL)互连框架内运行(工程实践)。
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