Metal 4 Cu deposition（MET5）

对于大块铜填充，电化学湿法沉积普遍优于 PVD 或化学气相沉积（CVD），因为它提供了更好的台阶覆盖率和间隙填充能力，且不会形成锁孔缺陷 [P4]。

Metal 4 Cu 沉积步骤是后段工艺（BEOL）中的关键工序，负责在 40nm BSI CMOS 图像传感器架构中形成中间或半全局布线互连 [P4]。与由于在超小通孔中具有高保形填充能力而用于局部接触的 Metal 0 钨（W）步骤不同 [P1]，以及与旨在通过最小间距紧密布线以最小化局部单元面积的 Metal 1 至 Metal 3 层不同 [T2]，Metal 4 通常设计有相对宽松的间距，以处理更高的电流并在整个传感器阵列上实现更长距离…

对于大块铜填充，电化学湿法沉积普遍优于 PVD 或化学气相沉积（CVD），因为它提供了更好的台阶覆盖率和间隙填充能力，且不会形成锁孔缺陷 [P4]。