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此步骤紧随主要的 Cu CMP 步骤之后，旨在去除大部分 Cu 覆盖层，并选择性地在 Ta 基阻挡层上停止 [P1]。Ta 基阻挡层 CMP 的目的是完全去除层间介电层 (ILD) 场区中暴露的 Ta/TaN 阻挡膜，从而在 MET5 层中实现相邻 Cu 互连线之间的电气隔离 [A1]。由于 Cu 容易扩散到周围的介电材料中并导致器件失效，因此 Ta 基阻挡层必须在沟槽和通孔内保持完整，作为必要的扩散阻挡层 [A1]。