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MET5 模块中的 CMP 后清洗步骤位于 Cu 本体和基于 Ta 的阻挡层 CMP 之后 [P2]。此工艺对于去除前序 CMP 步骤中产生的磨料颗粒、有机抑制剂和金属腐蚀产物至关重要 [P3]。与主要针对介电残留物和二氧化铈颗粒并使用强氧化性化学品的 STI CMP 后清洗不同 [A2]，此 MET5 清洗步骤必须在不引起电偶腐蚀的前提下处理具有电化学活性的 Cu 互连线 （工程实践）。