40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在 ILD 4-2 氧化物刻蚀之后，晶圆上包含已图案化的 Metal 5 沟槽，内部填充有刻蚀后的本体光刻胶、底部抗反射涂层（BARC）残留物以及氟碳基聚合物侧壁钝化层 [A2]。此灰化与剥离/清洗步骤的目的是在不损伤底层多孔低 k 层间介电层（ILD）的前提下，彻底清除这些有机掩模和等离子体诱导的残留物 [P1]。该操作旨在制备一个原始、无缺陷的介电空腔，这对后续保形沉积 Ta 基阻挡层和铜种子层至关重要 [P3]。