40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在40nm BSI CMOS图像传感器后段工艺（BEOL）流程中，“ILD 5-1 SiCN刻蚀”步骤是通孔金属化之前的关键刻蚀停止层突破工艺 [P1]。在本体 ILD 5-2 氧化物刻蚀之后，底部的 SiCN 层充当阻挡层，防止氧化物刻蚀化学物质意外侵蚀下方的 Metal 5 铜互连线 [A1]。通过选择性地去除 Via 5 结构底部的这层 SiCN，该工艺暴露出铜表面，从而为后续的 Metal 6 沟槽形成和填充建立电连续性 [A1]。