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CMP前氧化物沉积步骤紧随初始保形浅沟槽隔离（STI）填充及其后续退火工艺之后 [P1]。尽管先前的保形层能够保护沟槽界面并确保高质量的介质接触，但它会留下非平面的形貌以及沟槽内潜在的中心缝隙 [A3]。 “CMP前氧化物沉积”应用一层块体介质，通常称为覆盖层（overburden），这对于为随后的化学机械平坦化（CMP）步骤提供足够的材料厚度至关重要 [P1]。这确保了抛光垫在到达底层的氮化硅停止层之前，能够完全平坦化不同图案密度区域的表面 [P2]。