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该工艺流程采用多层掩模方案来图形化浅沟槽隔离（STI）区域并定义晶体管的边界 [T1]。在光刻之后，“氧化物刻蚀”步骤将光刻胶图形转移到下方沉积的 SiO₂ 硬掩模中 [P1]。之所以需要这种厚氧化物层，是因为单凭光刻胶无法承受后续深硅沟槽刻蚀所需的长时间等离子体暴露 [P2]。通过先打开氧化物硬掩模，该工序为后续的氮化物和硅刻蚀步骤制备了一个稳固且高选择性的模板 [A2]。