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浅槽隔离（STI）光刻步骤定义了半导体衬底上有源区（AA）和隔离槽的空间边界 [P1]。该步骤直接对涂覆在预先沉积的 SiO₂ 和 SiN 硬掩模上的光刻胶层进行图案化 [T2]。与定义高深宽比沟槽以阻断深层横向少子扩散及图像传感器像素间光学串扰的深槽隔离（DTI）光刻不同 [P3]，STI 光刻旨在通过浅隔离来抑制相邻表面器件之间的亚阈值漏电和寄生导通 [P1], [T1]。显影后，图案化的光刻胶在随后的氧化物、氮化物和硅刻蚀步骤中充当保护屏蔽层，从而决定了沟槽挖掘的精确几何形状 [A1]。