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在 CONTACT 模块进行 W 和 TiN/Ti CMP 后，晶圆表面会覆盖残留的抛光液颗粒、研磨垫碎屑以及金属/有机污染物 [P4]。如果清洗不彻底，这些亚微米颗粒和金属残留物将导致严重的缺陷，例如在随后的低温退火和 PMD 5 沉积步骤中，相邻接触插头之间发生短路或接触电阻升高 [P4]。与主要针对二氧化硅和氮化硅表面的 STI CMP 后清洗步骤不同，此特定步骤必须清洗暴露了钨（W）插头、氮化钛（TiN）阻挡层和层间介质的异质表面 [A1]。