在不引入微划痕或金属残留的前提下实现全局平坦化，对于确保中段工艺 (MOL) 互连的完整性至关重要 [T2]。
在接触孔模块中，TiN/Ti 化学机械平坦化 (CMP) 步骤紧随钨 (W) 主 CMP 工艺之后执行 [A2]。在之前的步骤中，沉积了 Ti/TiN 叠层以衬垫接触孔，其中 Ti 用于吸附残留氧并降低金属-半导体接触势垒，而 TiN 作为扩散阻挡层，防止在 W 化学气相沉积 (CVD) 过程中 WF6 与下层结构发生反应 [P1]。金属-半导体接触的基本物理学原理决定了势垒高度是金属功函数和半导体电子亲和能的函数，因此精确集成 Ti/TiN 衬垫对于实现低接触电阻至关重要 [T1]。
登录后继续阅读全部 417 步
免费注册