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接触孔刻蚀停止层（CESL）在现代半导体器件制造中具有双重作用：它既能在深层前段介质（PMD）氧化物刻蚀过程中保护下方的源/漏极区域，又能通过诱导晶体管沟道产生机械应力来增强载流子迁移率 [P1]。在完成 PMD 1、2 和 3 的顺序刻蚀步骤后，厚 SiO₂ 层已被去除，并精确停止在 SiN CESL 上，以防止对有源区造成损伤 [P3]。