40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在纳米尺度背照式（BSI）CMOS图像传感器的制造过程中，必须清除器件外围键合焊盘（bondpad）上方的所有光学层和介电层，以实现最终的电气封装 [A1]。下层OCL（片上透镜）刻蚀是BONDPAD模块中的一个关键清除步骤，旨在选择性地去除键合焊盘区域内的内部微透镜材料（通常为高折射率的Si₃N₄或有机-无机杂化层） [A1]。该步骤紧随下层OCL涂层刻蚀之后进行，后者用于去除底层的平坦化层或抗反射涂层，并为后续最终露出金属键合焊盘的光学焊盘刻蚀做好结构准备 [A1]。