40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在纳米尺度背照式（BSI）CMOS图像传感器的制造过程中，形成电气连接需要刻蚀穿过背侧介质堆叠层，以接触埋入的前段工艺金属化层 [A2]。在刻蚀上层抗反射层（HKD/AR2）之后，HKD/AR1刻蚀步骤负责去除键合焊盘区域的主要高k介质和抗反射涂层（AR1） [P3]。由于Ta₂O₅、HfO₂或Al₂O₃等高k材料具有特定的折射率和高介电常数，能改善光学耦合并提供表面钝化，因此被应用于BSI堆叠层中 [T1]。