PMD 2 Etch（BONDPAD） - 40nm 工艺步骤

电介质刻蚀参数的选择受限于在最大化刻蚀速率的同时，需保持对硬掩模或中间刻蚀停止层的选择比 [A2]。

在 40nm BSI CIS 工艺流程中，BONDPAD 模块用于将传感器的内部金属化层与外部封装基板相连接（工程实践）。由于 BSI 传感器需要背面照明，因此焊盘通常需要从背面穿过极厚的电介质堆叠层进行开孔（工程实践）。从 PMD 1 Etch 到 PMD 5 Etch 的演进，表明了一种通过多个前段工艺（pre-metal）或层间电介质层进行顺序、深度穿透的图形转移过程，旨在触及埋入式接触焊盘 [A2]。