40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

ILD 4-2氧化层刻蚀步骤是40nm BSI CMOS图像传感器封装工艺流程中BONDPAD模块的关键阶段 [A1]。该步骤紧随上层ILD 6和ILD 5层的顺序去除之后，并直接位于ILD 4-1 SiCN刻蚀之前 [P1]。其主要目标是选择性地去除第四层层间介质（ILD）中的块状SiO₂，以进一步向下方的金属键合焊盘（bond pad）推进 [P1]。