40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

ILD 4-1 SiCN刻蚀是纳米尺度背照式（BSI）CMOS图像传感器BONDPAD模块中的关键图形化步骤 [P4]。该工艺紧随ILD 4-2氧化物刻蚀之后，旨在为随后的ILD 3-2氧化物刻蚀做好准备 [A2]。在此集成方案中，键合焊盘通孔必须穿透多个交替的介质层，需要依次刻蚀连续的氧化物和SiCN薄膜 [A2]。此特定步骤的主要目标是完全击穿裸露的ILD 4-1 SiCN刻蚀停止层，从而实现高深宽比接触（HARC）结构的连续形成，最终到达下方的金属焊盘 [P2]。