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在Metal 2 (MET2) 模块的双大马士革工艺序列中，首先在主Cu CMP步骤中对大块铜过载层进行平坦化 [P3]。随后，执行基于Ta的衬层CMP步骤，以完全去除场介质区域内暴露的Ta/TaN阻挡层 [P3]。这一步骤至关重要，因为在场氧化物上残留任何导电衬层都会导致相邻MET2导线之间发生电气短路 （工程实践）。此外，该阻挡层CMP步骤对整个互连堆叠进行平坦化，包括沟槽内的铜、侧壁衬层以及周围的介质，以达到目标Metal 2线高 [P3]。