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Via 2 (V2) 模块中的去胶与清洗（Ashing & Strip/Clean）步骤是紧随 ILD 2-1 SiCN 穿透刻蚀之后的一项关键刻蚀后操作 [A2]。上游的反应离子刻蚀 (RIE) 利用氟碳基等离子体选择性地去除 SiCN 阻挡层，这不可避免地会留下高度交联的氟聚合物残留物以及残留的光刻胶或硬掩模材料 [P2]。