40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在通孔优先（via-first）的双大马士革集成方案中，金属3层（M3）通孔（V2）已被刻蚀进入下方的介质层并完成清洗 [P1]。“金属3沟槽 - 光刻”（METAL 3 TRENCH - Photo）步骤定义了水平布线轨道，这些轨道将连接之前刻蚀好的通孔，以构建中段后段工艺（BEOL）互连网络 [T1]。与直接连接高密度晶体管接触点的M0或M1步骤不同，M3作为中间布线层，在电流承载能力的电阻与信号速度的低电容之间取得了平衡 [P2]。