ILD 2-1 SiCN Etch - 40nm 工艺步骤

在 SiCN 刻蚀过程中，通常会选择高选择性的氟化化学气体（如 CF4/O2 或 CHF3）来保持结构保真度 [P2]。

在 V2 模块中，工艺流程要求在 Metal 2 和即将形成的 Metal 3 层之间建立电接触 （工程实践）。先前的 ILD 2-2 Oxide Etch 步骤通过主层间电介质创建了通孔空腔，但特意停在下方的 ILD 2-1 层上，该层通常为碳氮化硅（SiCN）刻蚀停止层和铜扩散阻挡层 [A1]。ILD 2-1 SiCN Etch 的主要目标是穿透这一剩余的密封阻挡层，以露出下方的 Metal 2 表面 [P3]。