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在对 Metal 2 (Cu) 层进行化学机械平坦化 (CMP) 及后续清洗后，ILD 2-1 沉积步骤作为关键的铜覆盖层和扩散阻挡层发挥作用 [P2]。在后段工艺 (BEOL) 流程中，该介电阻挡层必须立即覆盖暴露的 Cu，以防止其氧化并扩散至随后的层间介电层 (ILD 2-2) 中 [P3]。此外，该层在下游的 VIA 2 图形化工艺中还起到刻蚀停止层的作用 [P2]。