40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

MET2 模块中的 CMP 后清洗步骤紧随铜 (Cu) 覆盖层及 Ta 基衬垫的化学机械平坦化（CMP）工艺之后 [P2]。其主要功能是在随后的 ILD 2-1 介质沉积之前，去除留在晶圆表面的抛光液磨料、有机腐蚀抑制剂及金属残留物 [P4]。与主要处理氧化物和氮化物表面的 STI CMP 后清洗不同，此后段工艺（BEOL）清洗步骤必须同时处理暴露的、高活性的铜以及异种阻挡层金属 [P2]。如果这些污染物未被清除，将严重削弱后续介质层的附着力，并在相邻金属线之间引入漏电路径 [P4]。