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在完成 MET2 ILD 氧化层刻蚀以及随后的去胶和剥离/清洗工艺后，M2 沟槽和通孔已完全打开并暴露出来 （工程实践）。在铜金属化工艺之前，此处插入了基于 Ta 的衬层沉积步骤，以覆盖暴露出的层间介质 (IMD) 和下方的金属层 [P2]。该衬层具有双重作用：它既可作为阻挡层，防止铜扩散到介质中，又可为随后的铜种子层沉积提供粘附层 [A3]。如果没有这一步，高迁移率的铜离子将会漂移或扩散穿过分隔不同互连线的 IMD，导致灾难性的电路短路 [P2]。