Metal 2 Cu deposition - 40nm 工艺步骤

通过晶圆旋转和流体流动对电解液流体动力学进行精确控制，可确保稳定的边界层，防止晶圆表面出现不均匀的电流分布 [P1]。

Metal 2 (M2) Cu 沉积步骤是一项关键的后段工艺（BEOL）金属化制程，旨在 40nm CMOS 图像传感器架构中形成第二层导电互连 [A1]。在通过物理气相沉积（PVD）形成 Ta 基扩散阻挡层和共形 Cu 晶种层后，该步骤利用电镀工艺完全填充介质层中定义的深宽比（high-aspect-ratio）通孔和沟槽 [A1]。由于与传统的铝互连相比，铜具有更低的电阻和更优异的电迁移性能，因此被广泛用于这些中间布线层 [A1]。