40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在金属2（MET2）模块进行的铜化学机械平坦化（CMP）旨在去除电镀Cu过载层，实现纳米尺度背照式（BSI）CMOS图像传感器的全局平坦化[P3]。此步骤被特意安排在M2 Cu沉积之后、基于Ta的衬垫层CMP之前[P3]。通过采用专门的两步法，先清除块体Cu，并在基于Ta的衬垫层上精确停止，从而防止对下方脆弱结构造成过度损伤[P3]。