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ILD 1-2 Oxide Etch 步骤是一项关键的后段工艺（BEOL），旨在层间介质层内形成 Metal 2 互连沟槽 [P4]。继 Metal 2 光刻和之前的 ILD 1-1 SiCN 通孔/刻蚀停止层开口之后，该步骤以减法工艺定义了后续基于 Ta 的衬层和铜籽晶沉积的水平布线路径 [P1]。