40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

MET2 Cu种子层沉积步骤是高电阻率Ta基衬垫与后续本体电化学镀（ECP）工艺之间的关键导电桥梁 [P4]。在40nm BSI CMOS图像传感器的双大马士革（dual-damascene）互连工艺流程中，该层为均匀的电化学Cu沉积提供了必要的连续阴极 [P4]。由于前置的Ta基衬垫导电性较差，且缺乏直接进行Cu电镀所需的表面特性，因此必须先沉积一层高纯度金属Cu薄膜 [P3]。