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ILD 2-2 沉积步骤是分隔 Metal 2 和 Metal 3 的主要本体层间介质（ILD），并定义了关键的 Via 2 高度 [A2]。在此步骤之前是 MET2 化学机械抛光（CMP）以及 ILD 2-1 的沉积，后者通常作为薄帽层或刻蚀停止层，以防止铜扩散到本体介电层中 [P4]。ILD 2-2 为后续的 Via 2 双大马士革（dual-damascene）图形化步骤提供了结构基体 （工程实践）。