40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在 40nm BSI CMOS 图像传感器工艺流程中，ILD2 模块内的光刻前清洗（Pre Litho Cleaning）步骤在 ILD 2-2 沉积与 Via 2 光刻阶段之间起到了关键的桥梁作用*（工程实践）*。半导体光刻依赖于在感光聚合物中形成三维浮雕图像，从而为后续蚀刻定义图案 [A1]。为了获得最佳的图案保真度，新沉积的层间介质（ILD）必须彻底清除空气中的分子污染物、颗粒沉降物以及前序等离子体增强沉积或可流动沉积步骤中留下的化学残留物 [P3]。