40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

VIA 2 - Photo 步骤是后段工艺（BEOL）模块中关键的光刻工艺，负责定义 40nm BSI CMOS 图像传感器中连接相邻金属层的垂直互连结构 [A2]。该步骤位于 ILD 2-1 和 ILD 2-2 电介质堆叠沉积及随后的光刻前清洗之后，用于创建后续选择性等离子体刻蚀步骤所需的空间掩模图形 [T1]。通过对光刻胶进行构图，它决定了电介质堆叠被刻蚀形成通孔（Via hole）的具体几何位置，这些通孔最终将填充导电金属 [P2]。