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该工艺步骤将 Via 2 光刻图形转移到 ILD 2-2 氧化层中，以在 BEOL 双大马士革（dual-damascene）架构内建立垂直电气连接 [P2]。在完成 Via 2 光刻胶定义后，利用各向异性等离子体刻蚀去除暴露的 ILD 材料，并精确停止在下方的 ILD 2-1 SiCN 层上 [A2]。