[高] 刻蚀停止或夹断 (Etch Stop or Pinch-off)：来自高 C/F 比氟碳等离子体的过量聚合物沉积可能会过早封闭接触孔的上部（夹断），或完全停止沟槽底部的向下刻蚀过程 。这在深宽比（Aspect-Ratio）结构中尤为常见，因为到达底部的清除离子通量会严重衰减 （工程实践）。
[中] 轮廓弯曲或严重锥度 (Profile Bowing or Severe Tapering)：侧壁钝化不足或过度的侧向自由基侵蚀会导致沟槽中部出现弯曲（Bowing），而离子能量不足结合过多的聚合物堆积则会导致严重的向内锥度（Tapering） [P3, A2]。这种结构变形减小了底部的有效接触面积，从而大幅增加了器件的特定接触电阻率 。
[低] 微负载效应与深度不均匀性 (Micro-loading and Depth Non-uniformity)：局部布局图形密度的差异会导致晶粒内各处的反应物消耗和聚合物形成速率产生局部差异 （工程实践）。这会导致刻蚀深度不均，可能造成密集接触孔阵列刻蚀不足，而在孤立区域造成刻蚀过度，从而在最终 CESL 刻蚀前威胁到底层结构的完整性 。