40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

PMD 2刻蚀是40nm BSI CMOS图像传感器工艺流程中多步接触孔开口序列中的一个关键中间工序 [P1]。在光刻以及最初的PMD 4和PMD 3刻蚀步骤之后，该步骤继续对厚预金属介质（PMD）叠层进行高深宽比各向异性去除，以形成通往有源器件区域的垂直通道 [P2]。这种渐进式多步法被用于精确控制不断演变的刻蚀轮廓，并最大限度地减少不同图形密度下的累积微负载效应 [P3]。