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在接触孔完成刻蚀、清洗和去胶（ashing）后，底部的硅或硅化物表面会暴露出来 [P1]。Ti沉积步骤是中段工艺（MOL）接触插塞金属化的关键首要阶段 [P1]。Ti作为粘附层和吸氧剂，为后续的阻挡层形成做好接触底部准备 [P2]。在工艺流程中，它直接位于TiN扩散阻挡层和钨（W）化学气相沉积（CVD）之前 [P1]。通过与下层硅或预先形成的硅化物建立直接的金属界面，Ti层确保了低电阻信号传输所需的结构完整性和电连续性 [P2]。