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这是同一CN0开孔序列的第3/3段：完成PMD氧化物膜栈的底部分段开口。下方CESL尚未刻蚀，所以此刻还没有形成电学接触。

为什么保留三步

从集成概览看，它们可以合称一次“CN0接触孔刻蚀”；但一次光刻只定义平面图形，孔深仍按PMD 3→2→1逐段推进。保留三个刻蚀检查点可以明确当前孔底位于哪一段，并防止把PMD 1完成误写成已经接触到硅。