刻蚀沿既有接触孔继续穿过 PMD 2,在保持单掩膜图形连续性的同时标明当前孔底位置 (Engineering Practice)。
这是同一CN0开孔序列的第2/3段:沿原有光刻胶窗口继续穿过PMD 2主体分段,并没有增加第二张掩膜。
从集成概览看,它们可以合称一次“CN0接触孔刻蚀”;但一次光刻只定义平面图形,孔深仍按PMD 3→2→1逐段推进。保留三个刻蚀检查点可以明确当前孔底位于哪一段,并防止把PMD 1完成误写成已经接触到硅。
主要风险是轮廓与深度误差逐段累积,以及光刻胶图形在连续刻蚀中的保持能力。
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