移除上层PMD 3段,使开孔底部停留在PMD 2上方,为后续在同一CN0中刻蚀更深层提供条件 (Engineering Practice)。
这是同一CN0开孔序列的第1/3段:先移除顶层PMD 3,孔底仍停留在PMD 2上方。
从集成概览看,它们可以合称一次“CN0接触孔刻蚀”;但一次光刻只定义平面图形,孔深仍按PMD 3→2→1逐段推进。保留三个刻蚀检查点可以明确当前孔底位于哪一段,并防止把PMD 1完成误写成已经接触到硅。
主要风险是轮廓与深度误差逐段累积,以及光刻胶图形在连续刻蚀中的保持能力。
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