40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

焊盘氧化层（pad oxide）刻蚀步骤是接触孔形成工艺模块中最后的穿通工艺，用于去除一层薄的保护性介电层，从而露出下方的有源硅或多晶硅栅极 [A1]。该步骤按顺序紧接在体预金属介电层（PMD）刻蚀和接触孔刻蚀停止层（CESL）开口工艺之后*（工程实践）*。与早期的PMD氧化层刻蚀（旨在高深宽比结构中高速去除厚介电材料）不同，焊盘氧化层刻蚀仅针对极薄的残留层，并对下方的衬底要求极高的选择比 [P2]。