TiN/Ti CMP 将 Ti 和 TiN 表面转化为 TiOx 钝化层，从而在保留阻挡层的同时实现多余材料的均匀机械去除 [P1]。
在本体钨 (W) 沉积及随后的 W CMP 步骤之后，W 覆盖层被去除，使下方的 Ti/TiN 阻挡层暴露在场介质上 [A2]。Ti/TiN 堆叠层作为 W 插塞与层间介电层 (ILD) 之间至关重要的扩散阻挡层和附着力促进层 [P1]。TiN/Ti CMP 步骤旨在彻底去除残余的场阻挡层，在进行后续 Metal 0 工艺之前，实现各 W 接触孔的物理和电气隔离 [P1]。
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