40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

此特定的光刻前清洗步骤发生在40nm BSI CIS（工程实践）光屏蔽（LS）栅极模块中，上垂直栅极沉积之后。上垂直栅极通常由钨（W）芯和TiN阻挡层组成，这些层将在后续步骤中进行图案化和刻蚀（工程实践）。与为裸硅或前段工艺介质层进行图案化准备的早期光刻前清洗步骤（如步骤#7或#13）不同，此步骤是专门针对刚沉积的金属堆叠层进行精细间距光刻准备的 [P1]。其主要目标是去除可能阻碍光刻胶与衬底有效接触的有机或无机污染物，从而确保高图形保真度 [P1, P4]。