40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在 纳米尺度 背照式 (BSI) CMOS 图像传感器工艺流程中，遮光层 (LS) 和光圈栅格限制了相邻像素之间的光学串扰 (Engineering Practice)。在沉积阻挡层和体栅金属之后，氧化物栅格密封层 (Oxide Grid Seal Layer) 被直接沉积在连续的金属堆叠之上 (Engineering Practice)。由于工艺流程接下来会进行光刻胶涂覆以及随后的氧化物栅格密封层蚀刻，因此该氧化物主要用作高反射率栅格金属的介电硬掩模和抗反射涂层 (ARC) [P2]。