Optical Pad 1 Deposition - 40nm 工艺步骤

首层光学衬垫采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）或原子层沉积（ALD）进行沉积，以确保高薄膜密度和共形台阶覆盖率，从而实现与下方硅和金属化层之间的可靠界面 [A1]。

在纳米尺度背照式（BSI）CMOS图像传感器技术中，最大限度地减少光学串扰和电学串扰至关重要，这通常需要复杂的遮光栅格结构 [P4]。Optical Pad 1沉积步骤紧随遮光（LS）栅格模块中的钨（W）和氮化钛（TiN）刻蚀及后续剥离工艺之后进行 [A1]。其主要功能是作为多层介质堆栈的基础层，该堆栈最终将充当后续下层垂直栅格沟槽（Lower Vertical Grid Trench）图案化的硬掩模和光学缓冲层 [A1]。