40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

遮光层/孔径网格（Light Shield/Aperture Grid）的光刻步骤是40nm BSI CMOS图像传感器中的关键光刻工序，旨在定义金属图形，以防止光学串扰并屏蔽存储节点，避免产生不必要的光生效应 [A1]。在对网格金属和氧化物密封层进行毯式沉积后，此步骤会涂布并曝光光刻胶，从而为每个像素规划出孔径开口 [A2]。对于入射光子可能深入穿透并在电荷存储区产生电子-空穴对从而降低信号完整性的架构而言，形成这种遮光层至关重要 [A1]。