40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在氧化物硬掩模刻蚀及剥离/清洗工艺之后，硅片表面会残留吸附的水分、化学残留物以及潜在的挥发性有机物 [P2]。真空烘烤（Vacuum Bake）步骤紧接在快速热处理（RTP）和氧化铝（AlO）高k介质沉积之前进行 [P3]。在纳米尺度背照式（BSI）CMOS图像传感器中，背面硅表面必须达到极低的表面复合速率，以最大限度地减少暗电流和白点缺陷 [P1]。通过执行真空烘烤，该工艺确保了在随后的高温RTP或对真空敏感的AlO沉积阶段不会发生俘获物质的除气现象 [P2]。