40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

BSI CIS制造需要将衬底减薄至几微米，从而暴露出极易产生缺陷和暗电流升高的背面硅表面 [P1]。在经过化学机械抛光 (CMP) 和超声波清洗后，氧化物硬掩模沉积步骤为背面钝化离子注入 (IIP) 模块做好了表面准备 [P1]。与旨在承受深各向异性硅刻蚀的前段工艺硬掩模（例如步骤 #12）不同，该背面硬掩模主要用作离子注入屏蔽层，并在后续的光刻步骤中起到保护性缓冲作用 [A1]。