40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在 纳米尺度 背照式（BSI）CMOS 图像传感器（CIS）的生产中，超声波清洗步骤紧随 CIS 背面 Si CMP2 工艺之后 [A1]。化学机械抛光（CMP）被认为是晶圆制造中最脏的工艺之一，会在晶圆表面留下大量的磨料颗粒、金属污染物和化学残留物 [P1]。对于 BSI 器件而言，实现超净且无缺陷的背面硅表面至关重要，因为该界面直接决定了传感器的光学耦合效率和电荷存储性能 [T1]。该清洗步骤确保了 CMP 残留物的彻底清除，为后续的氧化物硬掩膜沉积和背面钝化步骤准备了原始的硅表面 [P3]。