40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在完成 CIS/ISP 晶圆 TC 键合及后续退火后，堆叠结构由两片物理集成在一起的全厚度硅晶圆组成 [A2]。为了制造背照式（BSI）CMOS 图像传感器，必须对 CIS 晶圆原始的硅体进行大幅减薄，以使光敏区域暴露于入射光下 [P3]。CIS 背面晶圆表面研磨步骤执行初始的体材料去除，作为精抛光之前的粗减薄阶段 [P4]。若不进行这种剧烈的结构修改，入射光子在到达下方的钉扎光电二极管（PPD）之前，就会被厚且高掺杂的衬底完全吸收 [P3]。此外，这种体研磨系统性地去除了起始硅衬底中原有的深层本征吸杂区 [P1]。